Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 32 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 180 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码 | e2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
VCEsat-Max | 0.8 V |
Base Number Matches | 1 |
2SD1766T100/R | 2SD1766T100/Q | 2SD1758TL/P | 2SD1766T100/P | |
---|---|---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-63, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | compli | compli | _compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 32 V | 32 V | 32 V | 32 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 180 | 120 | 82 | 82 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 | R-PSSO-F3 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码 | e2 | e2 | e2 | e2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 2 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W | 10 W | 2 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式 | FLAT | FLAT | GULL WING | FLAT |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 | 10 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
VCEsat-Max | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved