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2SD1766T100/R

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD1766T100/R概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2SD1766T100/R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.8 V
Base Number Matches1

2SD1766T100/R相似产品对比

2SD1766T100/R 2SD1766T100/Q 2SD1758TL/P 2SD1766T100/P
描述 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-63, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli _compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V 32 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 120 82 82
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-G2 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 10 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 FLAT FLAT GULL WING FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
Base Number Matches 1 1 1 1
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