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2SC4342-M-AZ

产品描述3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SC4342-M-AZ概述

3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN

2SC4342-M-AZ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)12 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SC4342
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
The 2SC4342 is a high-speed Darlington power transistor.
This transistor is ideal for high-precision control such as PWM
control for pulse motors or blushless motor of OA and FA equipment.
ORDERING INFORMATION
Part No.
2SC4342
Package
TO-126
FEATURES
• On-chip C-to-E reverse diode
• Fast switching speed
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
I
B(DC)
P
T
T
j
T
stg
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
PW
10 ms,
duty cycle
50%
Conditions
Ratings
150
100
8.0
±3.0
±5.0
0.3
1.3
12
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
INTERNAL EQUIVALENT CIRCUIT
1. Base
2. Collector
3. Emitter
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D14862EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
©
2002
1998

2SC4342-M-AZ相似产品对比

2SC4342-M-AZ 2SC4342-L-AZ 2SC4342-K-AZ
描述 3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN 3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN 3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SIP SIP SIP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 2000 4000 8000
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 12 W 12 W 12 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
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