Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1664P

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2SD1664P: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小113KB，共3页; 制造商SECOS; 官网地址http://www.secosgmbh.com/

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2SD1664P概述

Transistor

2SD1664P规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	compli
Base Number Matches	1

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2SD1664

Elektronische Bauelemente

R o H S C o m p lia n t P ro d u c t

NPN Silicon

General Purpose Transistor

Features

SOT-89

Power dissipation

: 0.5 W (Tamb= 25 C)

Collector current

: 1 A

Collector-base voltage

(BR)CBO

: 40 V

Operating & Storage junction Temperature

, T

stg

: -55 C~ +150 C

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

Dimensions In Millimeters

Symbol

2.900

0.900

Min

1.400

0.320

0.360

0.350

4.400

1.400

2.300

3.940

1.500TYP

3.100

1.100

0.114

0.035

Max

1.600

0.520

0.560

0.440

4.600

1.800

2.600

4.250

Min

0.055

0.013

0.014

0.173

0.055

0.091

0.155

0.060TYP

0.122

0.043

Dimensions In Inches

Max

0.063

0.020

0.022

0.017

0.181

0.071

0.102

0.167

Electrical Characteristics( Tamb=25

C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

(

sat

)

Test Conditions

Ic= 50

A I

MIN

0.5

390

0.4

150

MHz

TYP

MAX

UNIT

Ic= 1mA I

= 50 A I

= 20 V, I

= 4V, I

= 3V, I

= 0.1A

= 500mA, I

= 50mA

= 5V , I

= 50mA

1MHz

= 10V, I

= 0

Output Capacitance

1MHz

Classification of h

Rank

Range

Marking

82-180

DAP

120-270

DAQ

180-390

DAR

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

Page 1 of 3

2SD1664P相似产品对比

	2SD1664P	2SD1664R
描述	Transistor	Transistor
Reach Compliance Code	compli	compli
Base Number Matches	1	1

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