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IDT6178S20Y8

产品描述Cache Tag SRAM, 4KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
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文件大小227KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT6178S20Y8概述

Cache Tag SRAM, 4KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

IDT6178S20Y8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99

IDT6178S20Y8相似产品对比

IDT6178S20Y8 IDT6178S10Y8 IDT6178S12Y8 IDT6178S15Y8 IDT6178S25Y8
描述 Cache Tag SRAM, 4KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Cache Tag SRAM, 4KX4, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, SOJ,
针数 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
最长访问时间 - 10 ns 12 ns 15 ns -
其他特性 - MATCH OUTPUT MATCH OUTPUT MATCH OUTPUT -
JESD-30 代码 - R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 -
JESD-609代码 - e0 e0 e0 -
长度 - 15.88 mm 15.88 mm 15.88 mm -
内存密度 - 16384 bit 16384 bit 16384 bi -
内存集成电路类型 - CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM -
内存宽度 - 4 4 4 -
功能数量 - 1 1 1 -
端口数量 - 1 1 1 -
端子数量 - 24 24 24 -
字数 - 4096 words 4096 words 4096 words -
字数代码 - 4000 4000 4000 -
工作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 - 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 - 4KX4 4KX4 4KX4 -
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
可输出 - YES YES YES -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 - SOJ SOJ SOJ -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
峰值回流温度(摄氏度) - 225 225 225 -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 - 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm -
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) - 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 - YES YES YES -
技术 - CMOS CMOS CMOS -
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD -
端子形式 - J BEND J BEND J BEND -
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 - DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 30 30 -
宽度 - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm -

 
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