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2SB1188-R-TP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小237KB,共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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2SB1188-R-TP在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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2SB1188-R-TP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

2SB1188-R-TP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SB1188-P
2SB1188-Q
2SB1188-R
PNP
Plastic-Encapsulate
Transistors
Features
Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
Lead Free
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
Power dissipation: P
CM
= 0.5W(T
amb
=25 )
Collector current: I
CM
= -2A
Collector-base voltage: V
(BR)CBO
= -40V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55 to + 150
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-1
mA, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=-50­A, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=-50­A, I
C
=0)
Collector cut-off Current
(V
CB
=-20V, I
E
=0)
Emitter cut-off Current
(V
EB
=-4V, I
C
=0)
DC current gain *
(V
CE
=-3V, I
C
=-0.5A)
Collector-Emitter Saturation Voltage*
(I
C
=-2A, I
B
=-0.2A)
Transition Frequency
(V
CE
=-5.0Vdc, I
C
=-0.5Adc,F=30MHZ)
output capacitance
(V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz)
Min
-32
-40
-5.0
---
---
82
---
---
---
Typ
---
---
---
---
---
---
---
80
---
Electrical Characteristics @ 25
Symbol
V(BR)
CEO
V(BR)
CBO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
Cob
Unless Otherwise Specified
Max
---
---
---
-1.0
-1.0
390
-0.8
---
65
Unit
V
V
V
uA
uA
---
V
MHZ
PF
1
SOT-89
A
B
K
E
C
D
G
F
H
J
2
3
B
C
E
*
Measured using pulse current.
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
Marking
P
82-180
BCP
Q
120-270
BCQ
R
180-390
BCR
1.

Base
2.

Collector
3.

Emitter












 


 

 











25










































www.mccsemi.com
Revision:
B
1
of
2
2013/01/01

2SB1188-R-TP相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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