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2SK3919-ZK

产品描述64000mA, 25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小290KB,共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SK3919-ZK概述

64000mA, 25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN

2SK3919-ZK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)64 A
最大漏极电流 (ID)64 A
最大漏源导通电阻0.0056 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)36 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st
, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas
Electronics Corporation
took over all the business of both
companies.
Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas
Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1
st
, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation
(http://www.renesas.com)
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

2SK3919-ZK相似产品对比

2SK3919-ZK 2SK3919-S15-AZ 2SK3919 2SK3919-ZK-E1-AZ
描述 64000mA, 25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN 2SK3919-S15-AZ 64000mA, 25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN 2SK3919-ZK-E1-AZ
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合
Reach Compliance Code unknow compli unknow compli
峰值回流温度(摄氏度) 225 NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
零件包装代码 TO-252AA - TO-251AA MP-3ZK
针数 4 - 3 3
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 64 A - 64 A 64 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 36 W - 36 W 36 W
表面贴装 YES - NO YES
Base Number Matches 1 1 1 -
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