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2SB1094-L-AZ

产品描述3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SB1094-L-AZ概述

3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

2SB1094-L-AZ规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

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DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SB1094
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER
FEATURES
• The 2SB1094 features ratings covering a wide range of
applications and is ideal for power supplies or a variety of drives
in audio and other equipment.:
V
CEO
≥ −60
V, V
EBO
≥ −7.0
V, I
C(DC)
≤ −3.0
A
• Mold package that does not require an insulating board or
insulation bushing
• Complementary transistor with 2SD1585
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
QUALITY GRADES
• Standard
Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”
(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know
the specification of quality grade on the devices and its
recommended applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
*
I
B(DC)
P
T
(Tc = 25°C)
P
T
(Ta = 25°C)
T
j
T
stg
Ratings
−60
−60
−7.0
−3.0
−5.0
−0.6
15
2.0
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
* PW
10 ms, duty cycle
50%
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D16186EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
©
2002
1998

2SB1094-L-AZ相似产品对比

2SB1094-L-AZ 2SB1094-M-AZ 2SB1094-K-AZ
描述 3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 40 100
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz 20 MHz 20 MHz
Base Number Matches 1 1 1
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