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1N5622UL

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共3页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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1N5622UL概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5622UL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码MELF
包装说明E-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码E-LELF-R2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 874, REV. B
1N5614/UL
1N5616/UL
1N5618/UL
1N5620/UL
1N5622/UL
JAN
JANTX
JANTXV
SJ
SX
SV
HERMETIC AXIAL LEAD / MELF
GENERAL PURPOSE RECTIFIER
DESCRIPTION: A 200/400/600/800/1000 VOLT, 1.0 AMP, AXIAL LEAD/SURFACE MOUNT
2000 NS GLASS RECTIFIER.
MAXIMUM RATINGS
RATING
Peak Inverse Voltage
(PIV)
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
Average DC Output
Current (I
o
) T
C
= 55
°C
T
C
= 100
°C
Peak Single Cycle Surge
Current (I
fsm
)
t
p
= 8.3 ms Single
Half Cycle Sine
Wave,
Superimposed On
Rated Load
Junction to Lead
d = 0.375”
Junction to Endcap
-
CONDITIONS
All ratings are at T
A
= 25
o
C unless otherwise specified.
MIN
-
TYP
-
200
400
600
800
1000
-
-
1.0
0.75
-
-
30
Amps(pk)
Amps
MAX
UNIT
Vdc
Thermal Resistance (
θJL
)
Thermal Resistance (θ
JEC
)
Operating and Storage
Temp. (T
op
& T
stg
)
-
-
-65
-
-
-
36
13
+175
°C/W
°C/W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTIC
Maximum Forward
Voltage (V
f
)
Maximum Instantaneous
Reverse Current At Rated
(PIV)
Maximum Reverse
Recovery Time
CONDITIONS
I
F
= 3.0A (300
μsec
pulse, duty cycle <
2%)
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A
I
RR
= 0.25A
MIN
-
TYP
-
MAX
1.3
UNIT
Volts
-
-
0.5
25
2000
μAmps
μAmps
ns
-
-
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
World Wide Web - www.sensitron.com
E-mail Address - sales@sensitron.com
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