Flash, 16MX8, 45ns, PDSO48, TSOP-48
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 包装说明 | TSOP-48 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 1K |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小 | 512 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 16K |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | NO |
| 类型 | SLC NAND TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
| NAND128W3A2BNXE | NAND256W3A2BZA6E | NAND256W3A2BN6E | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Flash, 16MX8, 45ns, PDSO48, TSOP-48 | Flash, 32MX8, 35ns, PBGA55, VFBGA-55 | Flash, 32MX8, 35ns, PDSO48, TSOP-48 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 包装说明 | TSOP-48 | TFBGA, BGA55,8X12,32 | TSOP-48 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 45 ns | 35 ns | 35 ns |
| 命令用户界面 | YES | YES | YES |
| 数据轮询 | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 | R-PBGA-B55 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3 | e1 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm | 10 mm | 18.4 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit | 268435456 bit | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 部门数/规模 | 1K | 2K | 2K |
| 端子数量 | 48 | 55 | 48 |
| 字数 | 16777216 words | 33554432 words | 33554432 words |
| 字数代码 | 16000000 | 32000000 | 32000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 16MX8 | 32MX8 | 32MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | TFBGA | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 | BGA55,8X12,32 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小 | 512 words | 512 words | 512 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES | YES | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.05 mm | 1.2 mm |
| 部门规模 | 16K | 16K | 16K |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.8 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
| 切换位 | NO | NO | NO |
| 类型 | SLC NAND TYPE | SLC NAND TYPE | SLC NAND TYPE |
| 宽度 | 12 mm | 8 mm | 12 mm |
| 零件包装代码 | - | BGA | TSOP |
| 针数 | - | 55 | 48 |
| ECCN代码 | - | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A |
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