Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB1260G-R-TN3-R

2SB1260G-R-TN3-R: 产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小231KB，共4页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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2SB1260G-R-TN3-R概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3

2SB1260G-R-TN3-R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-252
包装说明	HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数	4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	180
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2SB1260

POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC

2SB1260

is a epitaxial planar type PNP silicon

transistor.

PNP SILICON TRANSISTOR

FEATURES

* High breakdown voltage and high current.

CEO

= -80V, I

= -1A

* Good h

linearity.

* Low V

CE(SAT)

Lead-free:

2SB1260L

Halogen-free: 2SB1260G

ORDERING INFORMATION

Normal

2SB1260-x-AB3-R

2SB1260-x-TN3-R

Ordering Number

Lead Free

2SB1260L-x-AB3-R

2SB1260L-x-TN3-R

Halogen Free

2SB1260G-x-AB3-R

2SB1260G-x-TN3-R

Package

SOT-89

TO-252

Pin Assignment

Packing

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R208-017,E

2SB1260G-R-TN3-R相似产品对比

	2SB1260G-R-TN3-R	2SB1260G-Q-TN3-R	2SB1260G-P-TN3-R
描述	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	TO-252	TO-252	TO-252
包装说明	HALOGEN FREE PACKAGE-3	HALOGEN FREE PACKAGE-3	HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数	4	4	4
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	180	120	82
JEDEC-95代码	TO-252	TO-252	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Base Number Matches	1	1	1

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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