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HM62V8100LTTI-7SL

产品描述1M X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
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制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM62V8100LTTI-7SL概述

1M X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

HM62V8100LTTI-7SL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM62V8100I Series
Wide Temperature Range Version
8 M SRAM (1024-kword
×
8-bit)
ADE-203-1278 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Jun. 6, 2001
Description
The Hitachi HM62V8100I Series is 8-Mbit static RAM organized 1,048,576-word
×
8-bit. HM62V8100I
Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by employing Hi-CMOS
process technology. It offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup
systems. It is packaged in 48 bumps chip size package with 0.75 mm bump pitch or standard 44-pin TSOP II
for high density surface mounting.
Features
Single 3.0 V supply: 2.7 V to 3.6 V
Fast access time: 55/70 ns (Max)
Power dissipation:
Active: 6.0 mW/MHz (Typ)
Standby: 4.5 µW (Typ)
Completely static memory.
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output.
Three state output
Battery backup operation.
2 chip selection for battery backup
Temperature range: –40 to +85°C
Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

HM62V8100LTTI-7SL相似产品对比

HM62V8100LTTI-7SL HM62V8100LBPI-7SL HM62V8100LBPI-7 HM62V8100LTTI-7
描述 1M X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 1MX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48 1MX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48 1MX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 TSOP2 BGA BGA TSOP2
包装说明 TSOP2, TFBGA, TFBGA, TSOP2,
针数 44 48 48 44
Reach Compliance Code compliant compliant compliant unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PDSO-G44
长度 18.41 mm 9.8 mm 9.8 mm 18.41 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 44 48 48 44
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TFBGA TFBGA TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING BALL BALL GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL
宽度 10.16 mm 6.5 mm 6.5 mm 10.16 mm
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