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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC4617-S
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2SC4617-S

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB，共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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2SC4617-S概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

2SC4617-S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)270
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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$ %    !"#
2SC4617-Q
2SC4617-R
2SC4617-S
NPN
General Purpose
Transistors
Features
•
Complement to 2SA1774-Q/R/S
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
50
60
7
150
150
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
SOT-523
A
D
C
B
C
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=50uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=50uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=60Vdc, I
E
=0Vdc)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=7Vdc, I
C
=0Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=1mAdc, V
CE
=6Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=50mAdc, I
B
=5mAdc)
Transition Frequency
(V
CE
=12Vdc, I
C
=2mAdc, f=100MHz)
Output Capacitance
(V
CB
=12Vdc, f=1.0MHz, I
E
=0)
Q
120-270
BQ
Min
50
60
7
---
---
120
---
---
---
Typ
---
---
---
---
---
---
---
180
2.0
Max
---
---
---
0.1
0.1
560
0.4
---
3.5
Units
Vdc
Vdc
G
H
E
B
E
Vdc
­Adc
­Adc
---
Vdc
MHz
pF
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.059
.067
.030
.033
.057
.069
.020 Nominal
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
J
Classification OF h
FE
Rank
Range
Marking
R
180-390
BR
S
270-560
BS
MM
MIN
MAX
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
NOTE
www.mccsemi.com
Revision: 5
1 of 3
2008/01/01

2SC4617-S相似产品对比

2SC4617-S 2SC4617-Q 2SC4617-R
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 270 120 180
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 240 240 240
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 180 MHz 180 MHz 180 MHz
Base Number Matches 1 1 1

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