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GM71C4100CLR-80

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20,
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文件大小354KB,共9页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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GM71C4100CLR-80概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20,

GM71C4100CLR-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间80 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP20/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
反向引出线YES
自我刷新NO
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

 
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