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MJD45H11

产品描述8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小193KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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MJD45H11概述

8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

8 A, 80 V, PNP, 硅, 功率晶体管

MJD45H11规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-252
包装说明PLASTIC, DPAK-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz

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MJD44H11
MJD45H11
Complementary power transistors
Features
.
Low collector-emitter saturation voltage
Fast switching speed
Surface-mounting TO-252 (DPAK) power
package in tape and reel (suffix "T4")
TAB
2
3
Applications
1
Power amplifier
Switching circuits
Figure 1.
DPAK
TO-252
Description
The devices are manufactured in low voltage multi
epitaxial planar technology. They are intended for
general purpose linear and switching applications.
Internal schematic diagram
Table 1.
Device summary
Marking
MJD44H11
MJD45H11
Polarity
NPN
PNP
Package
DPAK
DPAK
Packaging
Tape and reel
Tape and reel
Order codes
MJD44H11T4
MJD45H11T4
August 2009
Doc ID 5470 Rev 3
1/8
www.st.com
8

MJD45H11相似产品对比

MJD45H11 MJD44H11 MJD44H11_09
描述 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
零件包装代码 TO-252 TO-252 -
包装说明 PLASTIC, DPAK-3 PLASTIC, DPAK-3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code _compli _compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A -
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 -
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
JESD-609代码 e3 e3 -
湿度敏感等级 1 1 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
极性/信道类型 PNP NPN -
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 50 MHz -
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