1 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
1 A, 175 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-66
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 2 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大集电极电流 | 1 A |
| 最大集电极发射极电压 | 175 V |
| 加工封装描述 | TO-66, 2 PIN |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 圆 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子涂层 | 锡 铅 |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 包装材料 | 金属 |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 晶体管类型 | 通用电源 |
| 最小直流放大倍数 | 40 |
| 额定交叉频率 | 10 MHz |

| 2N3583 | 2N5660 | 2N6534B | BDW25 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 | 1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA | 1 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 | 1 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 端子数量 | 2 | - | 2 | 2 |
| 晶体管极性 | NPN | - | NPN | NPN |
| 最大集电极电流 | 1 A | - | 1 A | 1 A |
| 最大集电极发射极电压 | 175 V | - | 175 V | 175 V |
| 加工封装描述 | TO-66, 2 PIN | - | TO-66, 2 PIN | TO-66, 2 PIN |
| 状态 | ACTIVE | - | ACTIVE | ACTIVE |
| 包装形状 | 圆 | - | 圆 | 圆 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 | - | 凸缘安装 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | PIN/PEG | - | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子涂层 | 锡 铅 | - | 锡 铅 | 锡 铅 |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM |
| 包装材料 | 金属 | - | 金属 | 金属 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 晶体管元件材料 | 硅 | - | 硅 | 硅 |
| 晶体管类型 | 通用电源 | - | 通用电源 | 通用电源 |
| 最小直流放大倍数 | 40 | - | 40 | 40 |
| 额定交叉频率 | 10 MHz | - | 10 MHz | 10 MHz |
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