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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC4617-Q-C
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2SC4617-Q-C

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小340KB，共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC4617-Q-C概述

Small Signal Bipolar Transistor

2SC4617-Q-C规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
Base Number Matches1

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2SC4617
Elektronische Bauelemente
0.15A , 60V
NPN Silicon General Purpose Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen and lead free
FEATURES
Low C
ob
. C
ob
=2.0pF
Complement of 2SA1774
A
M
3
SOT-523
3
Top View
CLASSIFICATION OF h
FE
Product-Rank
Range
Marking
2SC4617-Q
120~270
BQ
2SC4617-R
180~390
BR
2SC4617-S
270~560
BS
F
K
C B
1
2
2
1
L
E
D
G
REF.
Millimeter
Min.
Max.
1.5
1.7
1.45
1.75
0.75
0.85
0.7
0.9
0.9
1.1
0.15
0.25
H
REF.
G
H
J
K
L
M
J
Millimeter
Min.
Max.
-
0.1
0.55 REF.
0.1
0.2
-
0.5 TYP.
0.25
0.325
PACKAGE INFORMATION
Package
SOT-523
MPQ
3K
LeaderSize
7’ inch
A
B
C
D
E
F
Collector
3
1
Base
2
Emitter
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Currrent
Collector Power Dissipation
Junction & Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
STG
Ratings
60
50
7
150
150
150, -55 ~ 150
Unit
V
V
V
mA
mW
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage *
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
*
Pulse Test :Pulse Width
≤300us,D.C ≤
2%
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
C
ob
Min.
60
50
7
-
-
-
120
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
180
-
Max.
-
-
-
0.1
0.1
0.4
560
-
3.5
Unit
V
V
V
μA
μA
V
Test Conditions
I
C
=50μA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=50μA, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
= 7V, I
C
=0
I
C
=50mA, I
B
=5mA
V
CE
=6V, I
C
=1mA
MHz
pF
V
CE
=12V, I
E
=2mA, f=100MHz
V
CB
=12V, I
E
=0, f=1MHz
24-Feb-2011 Rev. D
Page 1 of 2

2SC4617-Q-C相似产品对比

2SC4617-Q-C 2SC4617-S 2SC4617-Q 2SC4617-R 2SC4617-R-C 2SC4617-S-C 2SC4617-C
描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 270 120 180 180 270 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 180 MHz 180 MHz 180 MHz 180 MHz 180 MHz 180 MHz 180 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 -

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