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2SB1132R: 产品描述1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小334KB，共2页; 制造商Micro Commercial Components (MCC)

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2SB1132R概述

1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

2SB1132R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	32 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	180
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
Base Number Matches	1

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MCC

Micro Commercial Components

omponents

20736 Marilla

Street Chatsworth

!"#

$ % !"#

2SB1132

Features

•

Case Material: Molded Plastic.

Classification Rating 94V-0

UL Flammability

Power dissipation: P

= 0.5W(T

amb

=25℃)

Collector current: I

= -1A

Collector-base voltage: V

(BR)CBO

= -40V

Operating and storage junction temperature range

, T

stg

: -55℃ to + 150℃

PNP

Plastic-Encapsulate

Transistors

Electrical Characteristics @ 25℃ Unless Otherwise Specified

Symbol

CEO

CBO

EBO

CBO

EBO

CE(sat)

Cob

Parameter

Collector-Emitter Voltage

=-50μA, I

=0)

Collector-Base Voltage

=-1μA, I

=0)

Emitter-Base Voltage

=-50μA, I

=0)

Collector cut-off Current

=-20V, I

=0)

Emitter cut-off Current

=-5V, I

=0)

DC current gain

=-2V, I

=-0.1A)

Collector-Emitter Saturation Voltage

=-2A, I

=-0.1A)

Transition Frequency

=2.0Vdc, I

=0.5Adc)

Collector output capacitance

=-10V, I

=0, f=1MHz)

Min

-32

-40

-5.0

---

Typ

---

150

Max

---

-0.5

390

-0.5

---

Unit

μA

---

MHz

SOT-89

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

CLASSIFICATION OF h

Rank

Range

Marking

82-180

BAP

120-270

BAQ

180-390

BAR

www.mccsemi.com

Revision: 2

1 of 2

2006/05/10

2SB1132R相似产品对比

	2SB1132R	2SB1132P	2SB1132Q
描述	1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	32 V	32 V	32 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	180	82	120
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0	e3	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240	260	240
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	10	30
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz	150 MHz	150 MHz
Base Number Matches	1	1	1

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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