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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB1132-Q
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2SB1132-Q

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB，共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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2SB1132-Q概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN

2SB1132-Q规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOT-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SB1132
2SB1132-P
2SB1132-Q
2SB1132-R
PNP
Plastic-Encapsulate
Transistors
Features
•
•
•
•
Case Material: Molded Plastic.
Classification Rating 94V-0
UL Flammability
Power dissipation: P
CM
= 0.5W(T
amb
=25 )
Collector current: I
CM
= -1A
Collector-base voltage: V
(BR)CBO
= -40V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55 to + 150
Electrical Characteristics @ 25
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
Cob
Unless Otherwise Specified
Min
-32
-40
-5.0
---
---
82
---
---
---
Typ
---
---
---
---
---
---
---
150
20
Max
---
---
---
-0.5
-0.5
390
-0.5
---
30
Unit
V
V
V
­A
­A
---
V
MHz
C
D
G
SOT-89
A
B
K
Parameter
Collector-Emitter Voltage
(I
C
=-50­A, I
E
=0)
Collector-Base Voltage
(I
C
=-1­A, I
B
=0)
Emitter-Base Voltage
(I
E
=-50­A, I
C
=0)
Collector cut-off Current
(V
CB
=-20V, I
E
=0)
Emitter cut-off Current
(V
EB
=-5V, I
C
=0)
DC current gain
(V
CE
=-2V, I
C
=-0.1A)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-2A, I
B
=-0.1A)
Transition Frequency
(V
CE
=2.0Vdc, I
C
=0.5Adc)
Collector output capacitance
(V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz)
E
3
F
2
H
1
J
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
Marking
P
82-180
BAP
Q
120-270
BAQ
R
180-390
BAR

 


 

 

































































www.mccsemi.com
Revision: 3
1 of 2
2007/03/01

2SB1132-Q相似产品对比

2SB1132-Q 2SB1132-P 2SB1132-R 2SB1132-R-T 2SB1132 2SB1132-P-T
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN Transistor
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 , SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 ,
Reach Compliance Code compli compli compli unknow compliant unknow
JESD-609代码 e0 e3 e0 e0 e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
零件包装代码 SOT-89 SOT-89 SOT-89 - SOT-89 -
针数 3 3 3 - 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR -
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A - 1 A -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 120 82 180 - 82 -
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 - R-PSSO-F3 -
元件数量 1 1 1 - 1 -
端子数量 3 3 3 - 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE -
峰值回流温度（摄氏度） 240 260 240 - 240 -
极性/信道类型 PNP PNP PNP - PNP -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES - YES -
端子形式 FLAT FLAT FLAT - FLAT -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 10 30 - 30 -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON - SILICON -
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz 150 MHz - 150 MHz -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -

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