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2SD2006T105

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SD2006T105概述

Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SD2006T105规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1

2SD2006T105相似产品对比

2SD2006T105 2SD2006T105Q 2SD2006T105P 2SD2006T105R 2SD2006T105/R 2SD2006T105/P 2SD2006T105/Q
描述 Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin 0.7A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 0.7A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 0.7A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 82 120 82 180 180 82 120
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - -
包装说明 - IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3

 
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