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BZW06P64B

产品描述600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小193KB,共7页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BZW06P64B概述

600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

BZW06P64B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压82.5 V
最小击穿电压71.3 V
击穿电压标称值75 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压134 V
配置SINGLE
最小二极管电容287.5 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.7 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压64 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

 
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