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2SB1132R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SB1132R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SB1132R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Transistors
Medium Power Transistor
(*32V,
*1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
FFeatures
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
*0.2V
(Typ.)
(I
C
/ I
B
= –500mA / –50mA)
2) Compliments 2SD1664 /
2SD1858.
FStructure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
FExternal
dimensions (Units: mm)
(96-120-B12)
207
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