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2SC4132T100/R

产品描述2000mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小116KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SC4132T100/R概述

2000mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN

2SC4132T100/R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-62
包装说明MPT3, SC-62, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1

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Power Transistor (120V, 2A)
2SC4132
Features
1) High breakdown voltage. (BV
CEO
= 120V)
2) Low collector output capacitance.
(Typ. 20pF at V
CB
= 10V)
3) High transition frequency. (f
T
= 80MHz)
4) Complements the 2SB1236.
Dimensions
(Unit : mm)
0.5
2SC4132
4.5
1.6
1.5
(1)
(2)
(3)
1.0
2.5
4.0
0.4
0.4
1.5
0.5
1.5
3.0
0.4
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
Packaging specifications and h
FE
Package
Type
h
FE
2SC4132
PQR
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
T100
1000
h
FE
values are classified as follows:
Item
h
FE
P
82 to 180
Q
120 to 270
R
180 to 390
Absolute maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
120
120
5
2
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
∗1
3
0.5
2
2
150
−55
to +150
1
2
Single pulse Pw = 10ms
When mounted on a 40
×
40
×
0.7mm ceramic board.
Electrical characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
120
120
5
82
Typ.
80
20
Max.
1
1
0.4
390
Unit
V
V
V
µA
µA
V
MHz
pF
I
C
= 50µA
I
C
= 1mA
I
E
= 50µA
V
CB
= 100V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 1A/0.1A
V
CE
/I
C
= 5V/0.1A
V
CE
= 5V , I
E
=
−0.1A
, f = 30MHz
V
CB
= 10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
Conditions
Measured using pulse current.
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/2
2009.02 - Rev.D

2SC4132T100/R相似产品对比

2SC4132T100/R 2SC4132PT100 2SC4132QT100 2SC4132RT100 2SC4132T100/Q 2SC4132T100/P 2SC4132T100
描述 2000mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN Transistor Transistor Transistor 2000mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN 2000mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, SC-62, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 MPT3, SC-62, 3 PIN , , , SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
配置 SINGLE Single Single Single SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 82 120 180 120 82 82
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
是否无铅 不含铅 - - - 不含铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 SC-62 - - - SC-62 SC-62 SC-62
针数 3 - - - 3 3 3
外壳连接 COLLECTOR - - - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
集电极-发射极最大电压 120 V - - - 120 V 120 V 120 V
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 - - - R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e2 - - - e2 e2 e2
元件数量 1 - - - 1 1 1
端子数量 3 - - - 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - - 260 260 260
认证状态 Not Qualified - - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子面层 TIN COPPER - - - TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER
端子形式 FLAT - - - FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE - - - SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 - - - 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING - - - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - - - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz - - - 80 MHz 80 MHz 80 MHz

 
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