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2SC4115STP/R

产品描述2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, SC-72, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SC4115STP/R概述

2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, SC-72, 3 PIN

2SC4115STP/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-72
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)290 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1

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2SC4115S
Transistors
Low Frequency Transistor (20V, 3A)
2SC4115S
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.2V(Typ.)
I
C
/ I
B
= 2A / 0.1A
2) Excellent current gain
characteristics.
3) Complements the 2SA1585S.
External dimensions
(Unit : mm)
2SC4115S
4±0.2
2±0.2
3±0.2
(15Min.)
0.45
+0.15
−0.05
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
3Min.
2.5
+0.4
−0.1
5
0.5
0.45
+0.15
−0.05
(1) (2) (3)
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
Denotes h
FE
Absolute maximum ratings
(Ta=25 C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
40
20
6
2
5
0.4
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
W
°C
°C
Single pulse Pw=10ms
Rev.A
1/3

2SC4115STP/R相似产品对比

2SC4115STP/R 2SC4115STP/Q 2SC4115STP/S
描述 2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, SC-72, 3 PIN 2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, SC-72, 3 PIN 2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, SC-72, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SC-72 SC-72 SC-72
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 120 270
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e1 e1 e1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 290 MHz 290 MHz 290 MHz
VCEsat-Max 1 V 1 V 1 V
Base Number Matches 1 1 1

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