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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JANS1N3157
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JANS1N3157

产品描述Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANS1N3157概述

Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN

JANS1N3157规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗15 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压8.4 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流10 mA

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• 1N3154-1 THRU 1N3157-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV
AND JANS
PER MIL-PRF-19500/158
• 8.4 V0LT NOMINAL ZENER VOLTAGE
• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
• METALLURGICALLY BONDED
1N3154 thru 1N3157A
and
1N3154-1 thru 1N3157A-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
l
R
= 10
µ
A @ 25°C & V
R
= 5.5Vdc
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
JEDEC
TYPE
NUMBER
ZENER
VOLTAGE
vz @ I
ZT
ZENER
TEST
CURRENT
I
ZT
MAXIMUM
VOLTAGE
TEMPERATURE
ZENER
TEMPERATURE
RANGE
IMPEDANCE
STABILITY
ZZT
³V
ZT
MAXIMUM
(Note 1)
(Note 2)
mV
130
172
65
86
26
34
13
17
°C
-55 to +100
-55 to +150
-55 to +100
-55 to +150
-55 to +100
-55 to +150
-55 to +100
-55 to +150
EFFECTIVE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
FIGURE 1
% / °C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
VOLTS
1N3154
1N3154A
1N3155
1N3155A
1N3156
1N3156A
1N3157
1N3157A
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
8.00—8.80
mA
10
10
10
10
10
10
10
10
OHMS
15
15
15
15
15
15
15
15
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
NOTE 1
Zener impedance is derived by superimposing on lZT A 60Hz rms a.c. current
equal to 10% of lZT.
The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e.,
the diode voltage will not exceed the speci½ed mV at any discrete temperature
between the established limits, per JEDEC standard No.5.
MOUNTING POSITION:
ANY.
NOTE 2
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (978) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
27

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描述 Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 1580ohm, 350V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 294000ohm, 100V, 0.05% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN Wire Terminal, ROHS COMPLIANT Board Connector, 11 Contact(s), 1 Row(s), Female, 0.098 inch Pitch, Crimp Terminal, Latch, Plug Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant compliant unknown unknown not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 不符合 - - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi - - Microsemi - - Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 DO-7 - - DO-7 - - DO-7 DO-7 DO-7
包装说明 O-LALF-W2 AXIAL LEADED SMT, 0805 O-LALF-W2 ROHS COMPLIANT - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
针数 2 - - 2 - - 2 2 2
外壳连接 ISOLATED - - ISOLATED - - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - - SINGLE - - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - - SILICON - - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 ZENER DIODE - - ZENER DIODE - - ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 - - DO-35 - - DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - - O-LALF-W2 - - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 - e3 e0 - - e0 e0 e0
元件数量 1 - - 1 - - 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 - - 2 2 2
最高工作温度 175 °C 200 °C 155 °C - - 85 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 GLASS - - GLASS - - GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND TUBULAR PACKAGE - ROUND - - ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - SMT LONG FORM - - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W - - 0.5 W - - 0.5 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified - - Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称参考电压 8.4 V - - 8.4 V - - 8.4 V 8.4 V 8.4 V
表面贴装 NO NO YES NO - - NO NO NO
技术 ZENER METAL OXIDE FILM THIN FILM ZENER - - ZENER ZENER ZENER
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE - - WIRE - - WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - - AXIAL - - AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大电压容差 5% - - 5% - - 5% 5% 5%

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