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BDP950-E6327

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小116KB,共4页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BDP950-E6327概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP

BDP950-E6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

BDP950-E6327相似产品对比

BDP950-E6327 BDP948-E6433 BDP948-E6327 BDP950-E6433
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, PNP
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 60 V 45 V 45 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
功耗环境最大值 3 W 3 W 3 W 3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches - 1 1 1
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