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UHBS15-1_07

产品描述NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小13KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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UHBS15-1_07概述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MLN2033F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MLN2033F
is Designed for
Class A Linear Applications up to 2.0 GHz.
PACKAGE STYLE .250 2L FLG
A
ØD
C
E
.060 x 45°
CHAMFER
FEATURES:
Class A Operation
P
G
= 12 dB at 2.0 W/2.0 GHz
Omnigold™
Metalization System
B
G
L
H
J
F
I
K
M
NP
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
0.5 A
40 V
25 V
3.5 V
20.6 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
17 °C/W
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.560 / 14.22
.790 / 20.07
.225 / 5.72
.165 / 4.19
.003 / 0.08
.058 / 1.47
.119 / 3.02
.149 / 3.78
.110 / 2.79
.117 / 2.97
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
.028 / 0.71
.740 / 18.80
.245 / 6.22
.128 / 3.25
.125 / 3.18
.032 / 0.81
.255 / 6.48
.132 / 3.35
.117 / 2.97
.570 / 14.48
.810 / 20.57
.235 / 5.97
.185 / 4.70
.007 / 0.18
.068 / 1.73
.135 / 3.43
.187 / 4.75
ORDER CODE: ASI10634
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
I
C
= 2 mA
I
C
= 5 mA
I
E
= 2 mA
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
40
25
3.5
UNITS
V
V
V
I
C
= 400 mA
f = 1.0 MHz
I
CQ
= 220 mA
f = 2.0 GHz
15
150
5.0
---
pF
dB
V
CE
= 18 V
P
OUT
= 2.0 W
12
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. B
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描述 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

 
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