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TVV007

产品描述NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小29KB,共2页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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TVV007概述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVV007
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI TVV007
is Designed for
Television Band III Applications up
to 225 MHz.
PACKAGE STYLE .500 6L FLG
C
A
2x ØN
FU LL R
D
FEATURES:
Common Emitter
5:1 VWR capability
P
G
= 10 dB at 7.5 W/225 MHz
Omnigold™
Metalization System
D IM
B
G
.725/18,42
F
E
K
H
M IN IM U M
inche s / m m
M
L
J
I
M AX IM U M
inche s / m m
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
V
CE
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
4.0 A
45 V
25 V
53 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
3.3 °C/W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.135 / 3.43
ORDER CODE: ASI10655
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CER
BV
EBO
h
FE
P
G
IMD
1
VSWR
η
C
C
ob
I
C
= 25 mA
I
C
= 50 mA
I
E
= 10 mA
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
R
BE
= 10
I
C
= 500 A
I
C
= 1.2 A
f = 175-225 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
25
45
4.0
10
10
-50
11.2
-52
5:1
33
UNITS
V
V
V
---
Db
dBc
---
%
pF
V
CE
= 25 V
P
OUT
= 7.5 W
V
EB
= 25V
f = 1.0 MHz
35
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV.B
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