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LL5818

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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LL5818概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

LL5818规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MELF
包装说明O-PELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

LL5818相似产品对比

LL5818 LL5819 LL5817
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 MELF MELF MELF
包装说明 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 30 V 40 V 20 V
表面贴装 YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1
最大正向电压 (VF) - 0.9 V 0.75 V
最大非重复峰值正向电流 - 25 A 25 A
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