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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRLML2502GPBF
PDF数据手册

IRLML2502GPBF

产品描述HEXFET Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB，共8页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IRLML2502GPBF概述

HEXFET Power MOSFET

IRLML2502GPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.2 A
最大漏极电流 (ID)4.2 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)33 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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