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IRF6712STRPbF: 产品描述17 A, 25 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小271KB，共9页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRF6712STRPbF概述

17 A, 25 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

17 A, 25 V, 0.0049 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

IRF6712STRPbF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	13 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	68 A
最大漏极电流 (ID)	17 A
最大漏源导通电阻	0.0049 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XBCC-N2
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	3
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	130 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Silver/Nickel (Ag/Ni)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRF6712STRPbF相似产品对比

	IRF6712STRPbF	IRF6712SPBF_09	IRF6712SPBF
描述	17 A, 25 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	17 A, 25 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	17 A, 25 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
表面贴装	YES	Yes	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	不含铅	-	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合
包装说明	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2	-	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2
针数	2	-	2
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	13 mJ	-	13 mJ
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V	-	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	68 A	-	68 A
最大漏极电流 (ID)	17 A	-	17 A
最大漏源导通电阻	0.0049 Ω	-	0.0049 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XBCC-N2	-	R-XBCC-N2
JESD-609代码	e4	-	e4
湿度敏感等级	3	-	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	-	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	36 W	-	36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	130 A	-	130 A
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
端子面层	Silver/Nickel (Ag/Ni)	-	Silver/Nickel (Ag/Ni)
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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