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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND128W4A1BZA1F
PDF数据手册

NAND128W4A1BZA1F

产品描述8MX16 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
产品类别存储    存储   
文件大小150KB，共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND128W4A1BZA1F概述

8MX16 FLASH 3V PROM, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

NAND128W4A1BZA1F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间12000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量63
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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