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31DQ04

产品描述3.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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31DQ04概述

3.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

31DQ04规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.57 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流90 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3.3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

31DQ04相似产品对比

31DQ04 31DQ03
描述 3.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.57 V 0.57 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 90 A 90 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 3.3 A 3.3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 40 V 30 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

 
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