NAND08GR3B3BZC6F,NAND08GR3B3BZC6F pdf中文资料,NAND08GR3B3BZC6F引脚图,NAND08GR3B3BZC6F电路-Datasheet-电子工程世界

NAND08GR3B3BZC6F: 产品描述1GX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小999KB，共59页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND08GR3B3BZC6F概述

1GX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e1
长度	15 mm
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	63
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1GX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8.5 mm

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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