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2SA933: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小78KB，共1页; 制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]

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2SA933概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

2SA933规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	7 pF
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	140 MHz
VCEsat-Max	0.5 V
Base Number Matches	1

2SA933相似产品对比

	2SA933	2SA719Q	2SA984E	2SA720S	2SA719S	2SA720	2SA984F	2SA984K	2SA970BL	2SA733
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	40 V	25 V	80 V	50 V	25 V	50 V	80 V	80 V	120 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25	40	35	40	40	40	35	35	350	90
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.625 W	0.6 W	0.625 W	0.625 W	0.4 W	0.6 W	0.6 W	0.3 W	0.25 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	140 MHz	200 MHz	120 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	120 MHz	120 MHz	100 MHz	50 MHz
VCEsat-Max	0.5 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.3 V	0.3 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
最高工作温度	-	-	150 °C	-	-	125 °C	150 °C	150 °C	125 °C	125 °C

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