Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD525G726LS4M-L

文档预览

HYMD525G726LS4M-L: 产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小210KB，共16页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYMD525G726LS4M-L概述

DDR DRAM Module, 256MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184

HYMD525G726LS4M-L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	,
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	19327352832 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

256Mx72 bits

Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM

HYMD525G726(L)S4M-K/H/L

DESCRIPTION

Preliminary

Hynix HYMD525G726(L)S4M-K/H/L series is Low Profile registered 184-pin double data rate Synchronous DRAM

Dual In-Line Memory Modules (DIMMs) which are organized as 256Mx72 high-speed memory arrays. Hynix

HYMD525G726(L)S4M-K/H/L series consists of eighteen stacked 128Mx4 DDR SDRAM in 400mil TSOP II packages

on a 184pin glass-epoxy substrate. Hynix HYMD525G726(L)S4M-K/H/L series provide a high performance 8-byte

interface in 5.25" width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

Hynix HYMD525G726(L)S4M-K/H/L series is designed for high speed of up to 133MHz and offers fully synchronous

operations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control inputs

are latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both ris-

ing and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth.

All input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable latencies and

burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.

Hynix HYMD525G726(L)S4M-K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect function

is implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to iden-

tify DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.

FEATURES

•

2GB (256M x 72) Low Profile Registered DDR DIMM

based on stacked 128Mx4 DDR SDRAM

JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory mod-

ule (DIMM)

Error Check Correction (ECC) Capability

Registered inputs with one-clock delay

Phase-lock loop (PLL) clock driver to reduce loading

2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

•

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

100MHz/125MHz/133MHz

Programmable CAS Latency 1.5 / 2 / 2.5 supported

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

tRAS Lock-out function supported

Internal four bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

ORDERING INFORMATION

Part No.

HYMD525G726(L)S4M-K

HYMD525G726(L)S4M-H

HYMD525G726(L)S4M-L

=2.5V

DDQ

=2.5V

Power Supply

Clock Frequency

133MHz (*DDR266A)

133MHz (*DDR266B)

125MHz (*DDR200)

Interface

Form Factor

184pin Registered DIMM

5.25 x 1.2 x 0.15 inch

SSTL_2

* JEDEC Defined Specifications compliant

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2/Jul. 02

HYMD525G726LS4M-L相似产品对比

	HYMD525G726LS4M-L	HYMD525G726S4M-H	HYMD525G726LS4M-H	HYMD525G726LS4M-K	HYMD525G726S4M-K	HYMD525G726S4M-L
描述	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
针数	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	19327352832 bit	19327352832 bit	19327352832 bit	19327352832 bit	19327352832 bit	19327352832 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184
字数	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	256000000	256000000	256000000	256000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256MX72	256MX72	256MX72	256MX72	256MX72	256MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

隔离放大器电路图

光电元件控制放大器电路

CX20106／CX20106A（电视机）红外线遥控接收前置放大电路-电特性测试电路

9V镍镉电池充电电路图

正负电压值连续可调的电源

6OXT(1.0)电脑主板电路图_05

【OpenmvDIY】怼上openmv入门一（安装驱动以及开发环境）: 本帖最后由 RCSN 于 2017-10-22 20:12 编辑在linux端（Ubuntu）上使用比较方便，openmv一怼上USB即可自动安装驱动，然后运行资料提供的run文件安装IDE。 326376 终端敲击 ......; RCSN MicroPython开源版块

【转】我能给与你什么: 　　我能给予你什么？生与死之间跳动着急切的渴望。　　我的渴望如果是缘自一种绝望，那么我的种种绝望不也就只是因为一种渴望。　　生与死之间是一段借来的行程，终将要归还的，不能延期， ......; lxb5642 聊聊、笑笑、闹闹

MSP430F2418在运行的过程中可以更改ACLK的时钟源吗？: 我使用的单片机是MSP430F2418，最开始ACLK的时钟源是单片机内部的VLO，在运行的过程中我想把ACLK的时钟源改成外部的32768的晶振，代码如下所示： #include "msp430.h" void main(void) { ......; adam_zhang41 微控制器 MCU

求430控制十字路口交通灯程序急急急: 求430控制十字路口交通灯程序急急急 ...; txyang0613 微控制器 MCU

帮帮忙急求：谁知道嵌入式精简TCP/IP: 谁知道嵌入式精简TCP/IP协议有多大要用多大的flash/ram来存储，是不是单片机上有这个协议就可以实现网络通信了啊？如果不行还需要什么啊？...; tangwq 嵌入式系统

也谈家电产品之模糊控制技术（上）: 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:04 编辑当今绚丽多彩的家电市场，产品最受关注的卖点莫过于“智能”、“人性化”、“全自动”等。从用户的角度来看，能配上如此美名的产品，应该 ......; xinge2000 消费电子

手机无线芯片出货量放缓但前景可期

　　市场研究集团Forward Concepts通过对WSTS的最新半导体出货量统计数据进行分析，认为尽管出现了手机芯片的出货量放缓现象，但对统计的数据表示质疑。　　手机专用DSP和RISC芯片的五月份出货量比四月份增加了8%，从去年五月份累计增长率为47%。　　Forward Concepts的总裁Will Strauss同时也指出，WSTS的报告称用于无线设备的DSP五月份出货量比四...[详细]
支撑产业的落后是半导体产业发展瓶颈

　　没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业，只有半导体支撑产业形成完善的配套体系，才能推动半导体行业高速发展。　　我国在“十一五”规划中特别提到，要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家“十一五”发展目标包括：集成电路产业年均增长率在30%以上，到2010年将实现3000亿元的销售额，约占当时世界集成电路市场份额的8%。制造业的生产技术达到12英寸、90纳米-65纳米水平。...[详细]
超声便携式设备的系统划分与趋势

　　上世纪90年代初，便携式电话风靡一时，随着电子技术的长足发展，现今的手机除了可以发送电子邮件和短信，还能拍照、查询股票价格、安排会议；当然，也可以同世界上任何地方的任何人通话。　　同样在医疗领域中，以前所谓的便携式超声系统曾装载在手推车上以便于拖拽；而今天的医用超声系统也在持续向小型化发展，并且被医生们称为“新型听诊器”。　　　　超声系统的便携式趋势　　　　由于超声的优...[详细]
2007年中国RFID市场回顾与展望

　　【提要】 2007年中国RFID市场回顾与展望:政府项目仍然是RFID应用的推动力；超高频RFID标准制定取得突破；NFC新兴应用市场将会逐渐兴起。　　政府项目仍然是RFID应用的推动力　　2007年，在政府主导项目的拉动下，中国RFID市场依旧保持了快速增长。主要体现在身份识别领域应用继续保持领先地位，其中二代身份证的继续集中发放依然是RFID应用的最大市场。与2006年相比...[详细]
基于MSP430F449的电子血压计

　　随着生活水平的不断提高以及城市老龄化比例的提高，医疗电子设备的家庭化逐渐成为了趋势。其中家用电子血压计就是典型的家庭医疗检测设备之一。目前血压计大致上可分为两种：一是水银式血压计，其优点为数值稳定，其缺点为无法一个人自行操作，必须专业医护人员操作，且肉眼观察误差极大，主观性强，体积较大不易携带。二是电子式血压计，其优点为：使用简易，可一人独自操作；测量值便于记录，体积轻巧便于携带。电子式血压...[详细]
心电数字无线遥测系统的研制

　　引言无线遥测产品的市场发展迅速，最近业界也掀起了一场无线应用的革命，无线遥测技术已经成为产品竞争力的一个重要因素。从发展的角度来看，医疗监护产品的无线化、网络化是发展趋势，移动型、具备无线联网功能的监护产品将成为未来市场的主流，另外，TELEMEDICINE（远程医疗）的发展也将使无线监护与无线互联技术大有用武之地。无线应用的前景广阔，因此研制开发无线监护产品势在必行。 ...[详细]
中文语音处理在数字助听器中的开发

　　目前国外对助听器研究发展的一个热点则是集中在中国，确切地讲是基于对汉语语言和语音研究，开发相关的语音识别技术和产品。为中心的中文听力学也不例外。我们已经知道听觉科学是一门发展迅速、知识更新很快的一门学科，它所研究的对象以人的听觉为中心，现在我们将介绍和讨论科学家和听力学家更关心的是怎样将听觉科学运用到中国人的听觉和言语实际中去。　　汉语是具有特征化的音调性语言，与其他以拼音字母为主的语系...[详细]
美国晶像推出全新InstaPort加快HDMI切换

2008 年 7 月 15 日美国晶像宣布推出全新的 InstaPort™ 技术，旨在提高 HDMI 数字电视 (DTV) 的智能性，进而缩短切换滞后时间。与此同时，该公司还推出了 Silicon Image SiI9285 、 SiI9287 、 SiI9251 与 SiI9261 等一系列配套使用的端口处理器，以及全...[详细]
召回植入医疗器械厂家要为患者出费用

　　《医疗器械召回管理办法》征求意见稿发布——记者从药监局了解到，关于《医疗器械召回管理办法》的征求意见稿已完成，其召回将根据安全隐患程度分为三级。　　同时，对于植入性医疗器械，生产企业要承担应召回或者更换该医疗器械而产生的费用。国家药监局表示，对征求意见稿中的内容有意见的企业、个人，可以在3月31日前将意见反馈至该局政策法规司法规处。 ...[详细]
Intel将推袖珍迅驰2芯片组合面向超薄笔记本

　　英特尔将在短期内推出一款面向轻薄笔记本电脑的迅驰2芯片组合，为更多类似苹果MacBook Air超薄笔记本电脑的出现打开了大门。　　英特尔计划于8月份推出的袖珍版(SFF)迅驰2芯片占用的空间要比本周发布的迅驰2占用的空间小。SFF迅驰2使用的封装技术同英特尔在MacBook Air中使用的酷睿2双内核芯片的封装技术，能显著缩小处理器尺寸。　　英特尔新加坡分部客户端平台地区营销经理苏...[详细]
看高清必读数字电视有哪些优势及功能

　　随着中央电视台这月6套数字电视的开播，和中国数字电视国家标准的最后正式确定，人们期望能看到如电影般清晰的电视节目将成为现实。如今提到数字电视这个词，也许您并不陌生，大家对数字电视已经耳熟能详。但实际上，说到什么是数字电视？它到底能给我们带来什么？怎样才能看上数字电视……可能多数人还是会一头雾水。本次我们就从数字电视的基本知识入手，希望通过对本文的了解让您了解数字电视的魅力。　　一、什么是数...[详细]
基于DSP的智能控制器高可靠性分析与设计(图)

　　硬件电路原理如图1所示，在具体设计中，每个部分都应考虑抗干扰问题，以最大限度地减小干扰对整个系统性能的影响，确保系统具有足够高的可靠性。　　　　图1 智能控制器硬件电路原理框图　　①DSP部分　　本控制器以TI公司的TMS320F2812（以下简称F2812）为核心，它是一款专用于控制的高性能、多功能、高性价比的32位定点DSP芯片。F2812部分的电路设计重点考虑如下问...[详细]
TD-SCDMA终端射频测试技术研究

　　前言　　TD-SCDMA移动通信标准是我国具有自主知识产权的世界第三代移动通信标准，以时分双工、智能天线、联合检测等诸多核心技术成为世界移动通信领域的亮点。在我国，无线电管理部门所规划的155 MHz的核心频段，极大地推动了TD-SCDMA技术在近几年的快速发展，专家估计:TD-SCDMA所带来的商业效益和社会效益是难以估量的。但是，TD-SCDMA技术相对WCDMA和cdma2000技...[详细]
面向非射频测试工程师的射频测量基础

　　初涉无线设计和无线产品研发工作的工程师需要掌握基本的射频测量基础知识。很多情况下，这一过程是使那些长期从事低频应用的工程师们重新拾回他们曾经在学校学习过的射频理论知识，并为他们注入一些关于射频理念和测试仪器方面的应用知识。本文即旨在于此。　　引言　　当前，基于射频原理的无线通信产品俯拾即是，其数量的增长速度也非常惊人。从蜂窝电话和无线PDA，到支持WiFi的笔记本电脑、蓝牙耳...[详细]
32位处理器大幅增长工业市场转向ARM控制器

　　半导体调研公司Semicast在报告中预测，工业和商业领域中的32位MCU/MPU销售额将大幅增长，同时需求将转向基于ARM的控制器。　　传统上，工业和医疗产业对于处理性能的要求一直集中于基于经x86的应用，如ATM、EPOS、自动售货机和SBC，这些设备通常采用Intel处理器、微软Windows和自有中间件的组合。Semicast预测这种局面不会很快发生变化，并预计在预测期内，将继续...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多