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10A06: 产品描述10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小31KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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10A06概述

10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

10A06规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code	compli
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	400 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	800 V
最大反向电流	10 µA
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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10A01-10A07

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 10 Amperes

FEATURES :

* Diffused Junction

* High current capability and Low Forward

Voltage Drop

* Surge Overload Rating to 600A Peak

* Low Reverse Leakage Current

* Pb / RoHS Free

SILICON RECTIFIER DIODES

1.00 (25.4)

MIN.

0.360 (9.1)

0.340 (8.6)

0.360 (9.1)

0.340 (8.6)

MECHANICAL DATA :

* Case : molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 2.049 grams

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

1.00 (25.4)

MIN.

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Average Rectified Output Current (Note 1) Ta = 50°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3 ms

Single half sine wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at I

= 10 Amps.

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Thermal Resistance

Operating and Storage Temperature Range

Notes

SYMBOL

10A01 10A02 10A03 10A04 10A05 10A06 10A07

UNIT

RRM

RMS

FSM

R(H)

θJC

, T

STG

150

0.8

- 65 to + 150

100

200

140

200

400

280

400

600

1.3

100

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

µA

°C/W

°C

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

Typical Junction Capacitance (Note 2)

(1) Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5 mm fro, the case.

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse volage of 4.0V DC.

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Rev. 01 : October 27, 2005

10A06相似产品对比

	10A06	10A01	10A05	10A07	10A04	10A02
描述	10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅	不含铅	不含铅	-	-	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	-	-	符合	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	-	-	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code	compli	compli	-	-	compli	compli
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	-	-	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	-	-	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	-	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	-	-	1 V	1 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	-	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	400 A	400 A	-	-	400 A	400 A
元件数量	1	1	-	-	1	1
相数	1	1	-	-	1	1
端子数量	2	2	-	-	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	-	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-	-	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	10 A	10 A	-	-	10 A	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	-	-	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	-	-	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	800 V	50 V	-	-	400 V	100 V
最大反向电流	10 µA	10 µA	-	-	10 µA	10 µA
表面贴装	NO	NO	-	-	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	-	-	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	-	-	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

10A06

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