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10A03

产品描述SILICON RECTIFIER DIODES
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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10A03概述

SILICON RECTIFIER DIODES

10A03规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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10A01-10A07
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 10 Amperes
FEATURES :
* Diffused Junction
* High current capability and Low Forward
Voltage Drop
* Surge Overload Rating to 600A Peak
* Low Reverse Leakage Current
* Pb / RoHS Free
SILICON RECTIFIER DIODES
D6
1.00 (25.4)
MIN.
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
MECHANICAL DATA :
* Case : molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 2.049 grams
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current (Note 1) Ta = 50°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3 ms
Single half sine wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 10 Amps.
Maximum DC Reverse Current
at rated DC Blocking Voltage
Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
Notes
:
SYMBOL
10A01 10A02 10A03 10A04 10A05 10A06 10A07
UNIT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
Cj
R
θJC
T
J
, T
STG
150
0.8
- 65 to + 150
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
10
600
1.3
10
100
80
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
µA
pF
°C/W
°C
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
Typical Junction Capacitance (Note 2)
(1) Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5 mm fro, the case.
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse volage of 4.0V DC.
Page 1 of 2
Rev. 01 : October 27, 2005

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