Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD18M725A6-L

文档预览

HYMD18M725A6-L: 产品描述DDR DRAM Module, 8MX72, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小260KB，共16页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYMD18M725A6-L概述

DDR DRAM Module, 8MX72, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200

HYMD18M725A6-L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24
针数	200
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.1 A
最大压摆率	1.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

8Mx72 bits

Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMM

HYMD18M725A(L)6-K/H/L

DESCRIPTION

Hynix HYMD18M725A(L)6-K/H/L series is unbuffered 200-pin double data rate Synchronous DRAM Small Outline Dual

In-Line Memory Modules (SO-DIMMs) which are organized as 8Mx72 high-speed memory arrays. Hynix

HYMD18M725A(L)6-K/H/L series consists of five 8Mx16 DDR SDRAM in 400mil TSOP II packages on a 200pin glass-

epoxy substrate. Hynix HYMD18M725A(L)6-K/H/L series provide a high performance 8-byte interface in 67.60mmX

31.75mm form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

Hynix HYMD18M725A(L)6-K/H/L series is designed for high speed of up to 133MHz and offers fully synchronous oper-

ations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control inputs are

latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising

and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth. All

input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable latencies and

burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.

Hynix HYMD18M725A(L)6-K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect function is

implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to identify

DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.

FEATURES

•

64MB (8M x 72) Unbuffered DDR SO-DIMM ECC-

based on 8Mx16 DDR SDRAM

JEDEC Standard 200-pin small outline dual in-line

memory module (SO-DIMM)

2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

100MHz/125MHz/133MHz

All addresses and control inputs except Data, Data

strobes and Data masks latched on the rising edges

of the clock

•

Data(DQ), Data strobes and Write masks latched on

both rising and falling edges of the clock

Data inputs on DQS centers when write (centered

DQ)

Data strobes synchronized with output data for read

and input data for write

Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

Internal four bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

4096 refresh cycles / 64ms

ORDERING INFORMATION

Part No.

HYMD18M725A(L)6-K

HYMD18M725A(L)6-H

HYMD18M725A(L)6-L

=2.5V

DDQ

=2.5V

Power Supply

Clock Frequency

133MHz(*DDR266A)

133MHz (*DDR266B)

100MHz (*DDR200)

Interface

Form Factor

200pin Unbuffered SO-DIMM

67.6mm x 31.75mm x 1mm

SSTL_2

* JEDEC Defined Specifications compliant

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.4/May. 02

HYMD18M725A6-L相似产品对比

	HYMD18M725A6-L	HYMD18M725A6-K	HYMD18M725A6-H	HYMD18M725AL6-L	HYMD18M725AL6-H	HYMD18M725AL6-K
描述	DDR DRAM Module, 8MX72, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 8MX72, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 8MX72, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 8MX72, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 8MX72, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 8MX72, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
针数	200	200	200	200	200	200
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
内存密度	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	200	200	200	200	200	200
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
最大压摆率	1.5 mA	1.625 mA	1.625 mA	1.5 mA	1.625 mA	1.625 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

感谢acai1123坛友！~: 本来打算在论坛求一块TI C2000DSP学习一下，后来acai1123 坛友站内信联系到我，愿意把C2000的板子赠送给我学习，真是感激不尽。后来QQ一聊才知道原来还是我上届的学长呀，世界真是小呀，嘻 ......; wanghongyang 淘e淘

选型方面的求助~~: 一款便携式的测量仪,单节Li-Polymer电池供电,将电压升至5.5V 根据应用条件初步选择了TPS63000和TPS61090两款DCDC 现在最愁的是纹波的问题... 升至5.5V是为了满足后面还有5V,3.3V,-5V等要求可 ......; zgbkdlm 模拟与混合信号

BB Black 入门基础之初识GPIO: 本帖最后由 lonerzf 于 2014-1-15 09:05 编辑今天的任务不是很多，主要也就介绍下如何简单操作GPIO口工作，并且点亮LED灯。建议操作前先把 BeagleBone Black 系统参考手册看一遍。不多， ......; lonerzf DSP 与 ARM 处理器

智能用电监控、保护系统创意进度帖+定时器篇: 智能用电监控、保护系统软件主要涉及到定时器、AD采样、液晶显示、按键中断。所以这几部分单独分篇章详细介绍。实验目的：使用定时器中断，每秒让P77发生一次电平翻转（即开发板上的D2灯发生 ......; ltbytyn 瑞萨MCU/MPU

复工了，但是还是要注意个人防护: 国家法定假期即将结束，大多数人已经准备返岗工作。对于办公室人员密集如何预防新冠肺炎大多数人都心怀忐忑。为此，医学教育网小编专门解答：返岗工作的你如何预防新冠肺炎。尽量远离高危地 ......; led2015 聊聊、笑笑、闹闹

多路复用的LED设计程序怎么写?(急.急.急...): 最普通的行列矩阵式驱动，可以用N+M个IO驱动N*M个LED。而这种被叫做Charlieplexing的方法可以用N个IO驱动N*(N-1)个LED。也就是说要驱动6个LED，用行列式需要5个口，而这种方法只要3个。LED也多 ......; zd169 嵌入式系统

通过串口利用printf函数输出数据

　　一。printf函数格式　　printf函数具有强大的输出功能　　%表示格式化字符串输出　　目前printf支持以下格式的输出，例如：　　printf( %c ,a);输出单个字符。　　printf( %d ,a);输出十进制整数。　　printf( %f ,a);输出十进制浮点数. 　　printf( %o ,a);输出八进制数。　　printf( %s ,a);输出字符串。...[详细]
基于TGW 的整车OTA 系统安全设计

摘要：随着智能汽车电子电气架构的复杂化，整车电控部件全生命周期管理面临多重挑战：传统基于诊断仪的现场刷写方案存在人工依赖度高、操作效率低的问题，而现有远程升级（OTA）技术则面临车载通信模块分立部署导致的硬件冗余及协议传输效率不足的瓶颈。文章提出一种集成式车载网关（TGW）架构，通过融合传统车载T-BOX（Telematics Box）与车载Gateway 功能，在硬件层面实现模块整合以消除冗...[详细]
语音识别按识别器对使用者的适应情况分类

有限词汇识别按词汇表中字、词或短句个数的多少，大致分为：100以下为小词汇;100-1000为中词汇;1000以上为大词汇。无限词汇识别(全音节识别) 当识别基元为汉语普通话中对应所有汉字的可读音节时，则称其为全音节语音识别(音节字表：Lexicon)。全音节语音识别是实现无限词汇或中文文本输入的基础。 ...[详细]
DMA实现采样数据的直接搬运存储

尝试了下STM32的ADC采样，并利用DMA实现采样数据的直接搬运存储，这样就不用CPU去参与操作了。找了不少例子参考，ADC和DMA的设置了解了个大概，并直接利用开发板来做一些实验来验证相关的操作，保证自己对各部分设置的理解。我这里用了3路的ADC通道，1路外部变阻器输入，另外两路是内部的温度采样和Vrefint，这样就能组成连续的采样，来测试多通道ADC自动扫描了，ADC分规则转换和注入...[详细]
嵌入式大佬给你分析stm32串口

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。　　什么是串口　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器　　USART : Uni...[详细]
stm32直流电机驱动与测速学习总结

　　通过实验发现，定时器的一个通道控制一个pwm信号。　　在正式开始之前也可以参考这个视频学习资料　　(stm32直流电机驱动) 　　http://www.makeru.com.cn/live/1392_1218.html?s=45051 　　超声波雷达测距仪　　http://www.makeru.com.cn/live/15971_2626.html?s=45051 　　PWM驱动电机不...[详细]
吉利发布行业首个AI座舱，明确不再研发传统智能座舱

8月20日，吉利宣布聚焦“一个座舱”，通过统一的AI OS架构、统一的AI Agent、统一的用户ID，实现AI座舱All in One，打造首个“人-车-环境”自主协同的智慧空间，引领智能汽车正式迈入AI座舱时代。图源：吉利同时，吉利宣布将不再开发不具备AI能力的传统智能座舱，并发布全球首个可大规模上车的汽车超拟人智能体——Eva，以及基于5层AI座舱原生架构打造的新一代AI座舱...[详细]
Keil5 STM32 C++开发 ARM V6编译器的使用教程

　　Keil5更新之后，开始支持ARM V6编译器，新版本的编译器对C++有了更多的支持，在编译方面也做了很多的改善，具体的没有详细了解，本文只是对STM32 开发下，使用V6版本的编译器进行STM32的C++开发作一个记录，方便和大家交流和参考。至于说为什么STM32要C++开发，这个没有解释，只是个人觉得C++比C有更多的方便，使得编程更加的容易，C++有更多的生态.... 　　开始上教程：...[详细]
电动汽车跑高速对于续航会有什么影响

随着电动汽车续航里程不断的提高，驾驶电动汽车长途出行已然成为一种趋势，对于高速出行来说，电动汽车在跑高速续航会有多少影响呢？说到高速行驶的时候会有什么影响，对于电动汽车来说，行驶速度和耗电速度是成正相关的。同时也和电机和电池有关，首先从电动汽车的电机来说起，根据电机的特征来说，电机是直接进行动力输出，在高速行驶的时候车速提升的较快，而这个时候就需要车辆的电机来提高车辆的转速，因此高的转速自...[详细]
Intel首款机架级AI芯片！Jaguar Shores首秀曝光：用上HBM4+18A

8月21日消息，据报道，Intel正在开发的新一代AI芯片Jaguar Shores近日首次得到曝光。据Andreas Schilling分享的照片显示，Jaguar Shores测试平台目前被Intel的热工程团队使用，可能是为了研究合适的冷却方案。该芯片安装在一块开发板上，封装尺寸相当大，据称达到了92.5mm×92.5mm，这表明它是一个面向高性能计算（HPC）的平台。 Jagu...[详细]
全国最大高速充电站投运：108台快充桩，40台超充桩“一秒一公里”

8月18日，我国最大规模的高速公路充电站 ——G25长深高速桐庐服务区（南区）光储充一体化智慧充电站正式建成投运。该充电站共设有108台大功率新能源车快充桩，其中包括40台超级充电桩，单桩最高功率可达600kW，实现了“一秒一公里”的充电速度。该服务区的充电桩采用了光伏发电、梯次储能、液冷超充直流快充等先进技术，并借助智能管理系统实现光伏储能与新能源车充电的统一管理与调度。此外，车棚上大...[详细]
Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计

Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计 Cadence 全新 Palladium Dynamic Power Analysis 应用程序助力 AI/ML 芯片和系统设计工程师打造高能效设计，缩短产品上市时间中国上海，2025 年 8 月 20 日 —— 楷登电子（美国 Cadence 公司，）近日宣布，通过与 NVIDIA 的紧密合作，公司...[详细]
基于STC单片机的超声波清洗机

随着超声波技术的不断发展，超声波广泛应用于检测、清洗、焊接、医疗等领域，甚至在纺织、航空领域也能见到它的踪迹。目前，超声的研究和应用可分为功率超声和检测超声两大领域，超声清洗是功率超声最为广泛的应用之一。它通过换能器，将功率超声的声能转换成机械振动，同时强超声波在液体传播时会产生“空化效应”。在空化气泡突然闭合时发出的冲击波可在其周围产生上千个大气压力，对污层的直接反复冲击，一方面破坏污物与清洗...[详细]
电动汽车的动力电池是如何进行分类的

当今社会的发展电动汽车产业在不断涌进，大家在担心新能源汽车的外观内饰等方面的时候，大家也在担心电池的电动汽车电池分类，电动汽车无论从构造、参数还是评价标准来说都与传统燃油汽车有很大差异，如何挑选，如何使用维护，对很多人而言都是一头雾水。因此，今天太平洋汽车网小编就带大家了解下电动汽车电池分类。锂电池是目前电动车上最常用的电池种类之一，虽然其从1970年诞生至今时间并不算长，但凭借能量密度高...[详细]
同负载同电压，接交流直流哪个电流大？

使用电子负载就像将其理解为用于消耗电源输出的消耗电阻。最直接的就是CR恒电阻模式。此时设置一个电阻值，电源输出电压和电流将按照一定比例(r=V/I)输出。然后是电子负载的 CC 和 CV 模式，在电源搭配方面通常是相反的。电源采用CV输出，负载采用CC模式消耗，电源采用CC，则电子负载采用CV; CV模式(恒压操作)从电源的角度来看，输出电压是恒定的。在最大功率范围内，电流由负载决定，...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多