HYMD116G725BL8M-K,HYMD116G725BL8M-K pdf中文资料,HYMD116G725BL8M-K引脚图,HYMD116G725BL8M-K电路-Datasheet-电子工程世界

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HYMD116G725BL8M-K: 产品描述DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小233KB，共17页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYMD116G725BL8M-K概述

DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184

HYMD116G725BL8M-K规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	1207959552 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.785 A
最大压摆率	2.99 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

HYMD116G725BL8M-K相似产品对比

	HYMD116G725BL8M-K	HYMD116G725B8M-M	HYMD116G725B8M-K	HYMD116G725B8M-L	HYMD116G725B8M-H	HYMD116G725BL8M-L	HYMD116G725BL8M-H	HYMD116G725BL8M-M
描述	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	125 MHz	133 MHz	125 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184	184	184
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX72	16MX72	16MX72	16MX72	16MX72	16MX72	16MX72	16MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.785 A	0.785 A	0.785 A	0.785 A	0.785 A	0.785 A	0.785 A	0.785 A
最大压摆率	2.99 mA	2.99 mA	2.99 mA	2.63 mA	2.99 mA	2.63 mA	2.99 mA	2.99 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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