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IPD90N06S3L-05

产品描述OptiMOS-T Power-Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPD90N06S3L-05概述

OptiMOS-T Power-Transistor

IPD90N06S3L-05规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)250 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)90 A
最大漏源导通电阻0.005 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)360 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
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