Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> HF30-28F

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HF30-28F: 产品描述HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小16KB，共2页; 制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]

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HF30-28F概述

HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

HF30-28F规格参数

参数名称	属性值
最大集电极电流	4.5 A
最大集电极发射极电压	35 V
端子数量	4
加工封装描述	0.380 INCH, FM-4
状态	Active
壳体连接	EMITTER
最大集电极基极电容	65 pF
结构	SINGLE
最小直流放大倍数	5
最高频带	HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code	O-CRFM-F4
元件数量	1
最大工作温度	200 Cel
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状	ROUND
包装尺寸	FLANGE MOUNT
larity_channel_type	NPN
wer_dissipation_max__abs_	60 W
qualification_status	COMMERCIAL
sub_category	Other Transistors
表面贴装	NO
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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AVD090F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The

ASI AVD090F

is Designed for

High Peak power & low duty cycle,

IFF, DME, and TACAN Applications.

PACKAGE STYLE .250 2L FLG (B)

.100 X 45°

ØD

.088 x 45°

CHAMFER

FEATURES:

•

Internal Input Matching Network

•

= 8.4 dB at 90 W/1150 MHz

•

Omnigold™

Metalization System

MAXIMUM RATINGS

DISS

STG

1.0 A

PEAK

55 V

292 W @ 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.6 °C/W

DIM

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

.095 / 2.41

1.050 / 26.67

.245 / 6.22

.120 / 3.05

.552 / 14.02

.790 / 20.07

.105 / 2.67

.255 / 6.48

.140 / 3.56

.572 / 14.53

.810 / 20.57

.285 / 7.24

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.120 / 3.05

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.130 / 3.30

.210 / 5.33

ORDER CODE: ASI10562

CHARACTERISTICS

SYMBOL

CBO

CER

EBO

CES

= 10 mA

= 25 mA

= 1.0 mA

= 50 V

= 5.0 V

= 50 V

= 13 W

= 25 °C

NONETEST

CONDITIONS

= 10

Ω

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

3.5

100

UNITS

---

= 1.0 A

f = 1.0 MHz

OUT

= 90 W

f = 1025 - 1150 MHz

200

8.4

Pulse with = 10 µS, Duty Cycle = 1.0 %

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1200

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. C

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HF30-28F相似产品对比

	HF30-28F	HF30-28F_07
描述	HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR	HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
最大集电极电流	4.5 A	4.5 A
最大集电极发射极电压	35 V	35 V
端子数量	4	4
加工封装描述	0.380 INCH, FM-4	0.380 INCH, FM-4
状态	Active	Active
壳体连接	EMITTER	EMITTER
最大集电极基极电容	65 pF	65 pF
结构	SINGLE	SINGLE
最小直流放大倍数	5	5
最高频带	HIGH FREQUENCY BAND	HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code	O-CRFM-F4	O-CRFM-F4
元件数量	1	1
最大工作温度	200 Cel	200 Cel
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状	ROUND	ROUND
包装尺寸	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
larity_channel_type	NPN	NPN
wer_dissipation_max__abs_	60 W	60 W
qualification_status	COMMERCIAL	COMMERCIAL
sub_category	Other Transistors	Other Transistors
表面贴装	NO	NO
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	RADIAL	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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