DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.40 INCH, LEAD FREE,PLASTIC, TSOP-66
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | TSSOP, |
针数 | 66 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 22.22 mm |
内存密度 | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 10.16 mm |
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