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1N6281C

产品描述1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N6281C概述

1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1N6281C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值27 V
最大钳位电压39.1 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压22 V
表面贴装NO

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1N6267C - 1N6303CA
V
BR
: 6.8 - 200 Volts
P
PK
: 1500 Watts
FEATURES :
* 1500W surge capability at 1ms
* Excellent clamping capability
* Low zener impedance
* Fast response time : typically less
then 1.0 ps from 0 volt to V
BR(min.)
* Typical I
R
less then 1µA above 10V
* Pb / RoHS Free
BIDIRECTIONAL TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
DO-201
0.21 (5.33)
0.19 (4.83)
1.00 (25.4)
MIN.
0.375 (9.53)
0.285 (7.24)
MECHANICAL DATA
* Case : DO-201 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Mounting position : Any
* Weight : 0.93 gram
0.052 (1.07)
0.048 (0.97)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR UNIPOLAR APPLICATIONS
For uni-directional without "C"
Electrical characteristics apply in both directions
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Power Dissipation at Ta = 25
°C,
Tp=1ms (Note1)
Steady State Power Dissipation at T
L
= 75
°C
Symbol
P
PK
Value
1500
Unit
W
P
D
Lead Lengths 0.375", (9.5mm) (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
T
J
, T
STG
5.0
W
- 65 to + 175
°C
Note :
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 2 and derated above Ta = 25
°
C per Fig. 1
(2) Mounted on Copper Lead area of 1.57 in
2
(40mm
2
).
Page 1 of 4
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