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1N5919A

产品描述5.6 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N5919A概述

5.6 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

1N5919A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗2 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散1.5 W
标称参考电压5.6 V
表面贴装NO
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差10%
工作测试电流66.9 mA

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1N5913A - 1N5957A
V
Z
: 3.3 - 240 Volts
P
D
: 3 Watts
FEATURES :
* Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
SILICON ZENER DIODES
DO - 41
0.108(2.74)
0.079 (1.99)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.20)
0.161 (4.10)
MECHANICAL DATA
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.335 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
Maximum Steady state Power Dissipation
@ T
L
= 75 ºC, Lead Length = 3/8"
Derate above 75 ºC
Steady State Power Dissipation
@ T
L
= 50 ºC, Lead Length = 3/8"
Derate above 50 ºC
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
Value
3.0
24
Unit
W
mW/ºC
W
mW/ºC
°C
P
D
1.0
6.67
T
J
,T
STG
- 65 to + 200
Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE
P
D
, STEADY STATE DISSIPATION
(WATTS)
5
L = 1/8"
L = LEAD LENGTH
TO HEAT SINK
4
L = 3/8"
3
2
1
0
0
40
80
120
160
200
L = 1"
T
L,
LEAD TEMPERATURE (
°
C)
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