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1N5914B

产品描述3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N5914B概述

3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

1N5914B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗9 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散1.5 W
标称参考电压3.6 V
表面贴装NO
最大电压容差5%
工作测试电流104.2 mA

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1N5913B - 1N5957B
V
Z
: 3.3 - 240 Volts
P
D
: 3 Watts
FEATURES :
* Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
SILICON ZENER DIODES
DO - 41
0.108 (2.74)
0.079 (1.99)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.20)
0.161 (4.10)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.335 gram
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
Maximum Steady state Power Dissipation
@ T
L
= 75 ºC, Lead Length = 3/8"
Derate above 75 ºC
Steady State Power Dissipation
@ T
L
= 50 ºC, Lead Length = 3/8"
Derate above 50 ºC
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
Value
3.0
Unit
W
24
P
D
1.0
mW/ ºC
W
6.67
T
J
,T
STG
- 65 to + 200
mW/ ºC
°C
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