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1N5811

产品描述6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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1N5811概述

6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5811规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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Certificate
:
TH97/10561QM
Certificate :
TW00/17276EM
1N5807 - 1N5811
PRV : 50 - 150 Volts
Io : 6.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Ultrafast recovery time
Pb / RoHS Free
ULTRAFAST RECOVERY
RECTIFIER DIODES
D2A
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
MIN.
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
MECHANICAL DATA :
* Case : D2A Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.645 gram
0.040 (1.02)
0.0385 (0.98)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
RATING
Maximum Working Peak Reverse Voltage
Minimum Breakdown Voltage @ 100µA
Maximum Average Forward Current
Maximum Forward Surge Current
(3)
Maximum Peak Forward Voltage at I
F
= 4.0 A.
Maximum Reverse Current at V
RWM
Maximum Reverse Recovery Time
(4)
Thermal Resistance, Junction to Lead
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Ta = 25 °C
Ta = 100 °C
SYMBOL
V
RWM
V
BR(Min)
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
R
ӨJL
T
J
T
STG
1N5807
50
60
1N5809
100
110
6.0
(1)
3.0
(2)
125
0.875
5.0
150
30
22
- 65 to + 175
- 65 to + 175
1N5811
150
160
UNIT
V
V
A
A
V
μA
ns
°C/W
°C
°C
Notes :
(1) Rated at T
L
=75
°C
at 3/8 inc lead length. Derate at 60 mA/°C for T
L
above 75
°C.
(2) Derate linearly at 25 mA/°C above Ta = 55 °C. This rating is typical for PC boards where thermal resistance from mounting
point to ambient is sufficiently controlled where T
J(max)
dose not exceed 175 °C.
(3) Ta = 25 °C @ I
F(AV)
= 3A and V
RWM
for ten 8.3 ms surges at 1 minute intervals.
(4) I
F
= 1A, I
RM
= 1A, I
R(REC)
= 0.1 A and di/dt = 10 A/μs min.
Page 1 of 2
Rev. 00 : April 4, 2007

1N5811相似产品对比

1N5811 1N5807 1N5809
描述 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 - 不含铅
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compli - compli
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY
应用 ULTRA FAST RECOVERY - ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.875 V - 0.875 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 125 A - 125 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 175 °C - 175 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C
最大输出电流 3 A - 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
最大重复峰值反向电压 150 V - 100 V
最大反向电流 5 µA - 5 µA
最大反向恢复时间 0.03 µs - 0.03 µs
表面贴装 NO - NO
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL

 
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