6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 应用 | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.875 V |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 125 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 3 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压 | 150 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.03 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| Base Number Matches | 1 |

| 1N5811 | 1N5807 | 1N5809 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE | 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
| 厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] | - | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
| 应用 | ULTRA FAST RECOVERY | - | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.875 V | - | 0.875 V |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | - | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 125 A | - | 125 A |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 相数 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 2 | - | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | - | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | - | -65 °C |
| 最大输出电流 | 3 A | - | 3 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | - | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | - | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压 | 150 V | - | 100 V |
| 最大反向电流 | 5 µA | - | 5 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.03 µs | - | 0.03 µs |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 端子形式 | WIRE | - | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | - | AXIAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved