1N5620: 产品描述1.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小116KB，共1页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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1N5620概述

1.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5620规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	800 V
最大反向恢复时间	2 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

1N5614 - 1N5622

PRV : 200 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

FEATURES :

Glass passivated chip

High forward surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Pb / RoHS Free

GLASS PASSIVATED JUNCTION

SILICON RECTIFIERS

DO - 41

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

1.00 (25.4)

MIN.

0.205 (5.2)

0.161 (4.1)

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.34 gram

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

1.00 (25.4)

MIN.

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Working Peak Reverse Voltage

Minimum Breakdown Voltage @ 50

μA

Maximum Average Forward Current at Ta = 55 °C

at Ta = 100 °C

Peak Forward Surge Current

(Ta = 100 °C,f = 60 Hz, I

F(AV)

= 750 mA for ten 8.3 ms

surges @ 1 minute intervals)

Minimum Forward Voltage at I

= 3.0 A

Maximum Forward Voltage at I

= 3.0A

Maximum Reverse Current

at V

RWM

, Ta = 25 °C

at V

RWM

, Ta = 100 °C

Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )

Thermal Resistance , Junction to Lead (Note 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

SYMBOL 1N5614 1N5616 1N5618 1N5620 1N5622

RWM

BR(MIN)

F(AV)

200

220

400

440

600

660

1.0

0.75

0.8

1.3

0.5

2.0

-65 to +175

800

880

1000

1100

UNIT

FSM

F(MIN)

F(MAX)

R(H)

Trr

ӨJL

, T

STG

μA

μs

°C/W

°C

Notes :

(1) Reverse Recovery Test Conditions : I

= 0.5 A, I

= 1.0 A, I

R(REC)

= 0.25 A.

(2) At 3/8"(10 mm) lead length form body.

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Rev. 02 : July 24, 2006

1N5620相似产品对比

	1N5620	SR-5	1N5618	TPES61-21A	1N5614
描述	1.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE	Subminiature Fuses	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE	ACCOMMODATE UNIVERSAL AC INPUT	1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP
是否无铅	不含铅	-	不含铅	-	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合	-	符合
Reach Compliance Code	compliant	-	compli	-	compliant
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	-	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED	-	ISOLATED
配置	SINGLE	-	SINGLE	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON	-	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-41	-	DO-41	-	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2
元件数量	1	-	1	-	1
端子数量	2	-	2	-	2
最高工作温度	175 °C	-	175 °C	-	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-	-65 °C	-	-65 °C
最大输出电流	1 A	-	1 A	-	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	-	ROUND	-	ROUND
封装形式	LONG FORM	-	LONG FORM	-	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	800 V	-	600 V	-	200 V
最大反向恢复时间	2 µs	-	2 µs	-	2 µs
表面贴装	NO	-	NO	-	NO
端子形式	WIRE	-	WIRE	-	WIRE
端子位置	AXIAL	-	AXIAL	-	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	-	1	-	1

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