3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
Reach Compliance Code | compli |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
应用 | FAST RECOVERY |
最小击穿电压 | 110 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.5 V |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 80 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 3 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 100 V |
最大反向电流 | 1 µA |
最大反向恢复时间 | 0.15 µs |
反向测试电压 | 100 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
1N5416 | 1N5415 | 1N5420 | 1N5418 | 1N5419 | 1N5417 | |
---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli | compli | compli |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
应用 | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY |
最小击穿电压 | 110 V | 55 V | 660 V | 440 V | 550 V | 220 V |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 80 A | 80 A | 80 A | 80 A | 80 A | 80 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
最大输出电流 | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 100 V | 50 V | 600 V | 400 V | 500 V | 200 V |
最大反向电流 | 1 µA | 1 µA | 1 µA | 1 µA | 1 µA | 1 µA |
最大反向恢复时间 | 0.15 µs | 0.15 µs | 0.4 µs | 0.15 µs | 0.25 µs | 0.15 µs |
反向测试电压 | 100 V | 50 V | 600 V | 400 V | 500 V | 200 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | - |
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