UPA2350T1P-E4-A,UPA2350T1P-E4-A pdf中文资料,UPA2350T1P-E4-A引脚图,UPA2350T1P-E4-A电路-Datasheet-电子工程世界

UPA2350T1P-E4-A: 产品描述MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小373KB，共11页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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UPA2350T1P-E4-A概述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

参数名称	属性值
Brand Name	Renesas
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	FLIP-CHIP
包装说明	GRID ARRAY, S-PBGA-B4
针数	4
Reach Compliance Code	unknow
配置	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PBGA-B4
元件数量	2
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	UPA2350T1P-E4-A	UPA2350T1P
描述	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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