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NP80N04NLG-S18-AY

产品描述MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小348KB,共12页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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NP80N04NLG-S18-AY概述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N04NLG-S18-AY规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码MP-25SK
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
制造商包装代码PRSS0004AM-A3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)80 A
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.0048 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NP80N04NLG-S18-AY相似产品对比

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描述 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

 
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